电场下应变层量子阱AlN/GaN(001)的子带结构

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采用有效质量理论6带模型,研究了电场下应变层量子阱AlN/GaN(001)的价带子能带结构.具体计算了价带子能级的色散曲线,分析了电场和应变效应对子能带的影响.还计算了不同电场和不同阱宽的空穴子能级. Using the effective mass theory 6-band model, the valence band energy band structure of AlN / GaN (001) in strained-layer quantum wells under electric field was studied. The dispersion curve of the valence band level was calculated, and the influence of electric field and strain effect on the sub-band was analyzed. Hole electron levels for different electric fields and different well widths were also calculated.
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