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报道了X波段8WAlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMTMMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4·5mm×3mm.测试结果显示,在7·5V和1·5A的DC偏置下,输出功率在8W以上,功率附加效率为30%,功率增益为15dB.
X波段PHEMT功率单片放大器
【摘 要】
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报道了X波段8WAlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMTMMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4·5mm×3mm.测试结果显示,在7·5V和1·
【机 构】
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河北工业大学信息工程学院,中国电子科技集团公司第十三研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年10期
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