【摘 要】
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采用直流磁控溅射方法在不同功率下制备了铋（Bi）薄膜,对薄膜的沉积速率、表面形貌、生长模式、晶体结构进行了研究,并对其晶粒尺寸和应力的变化规律进行了分析。扫描电镜（SEM）图
【机 构】
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西华师范大学物理与电子信息学院,中国工程物理研究院激光聚变研究中心
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采用直流磁控溅射方法在不同功率下制备了铋（Bi）薄膜,对薄膜的沉积速率、表面形貌、生长模式、晶体结构进行了研究,并对其晶粒尺寸和应力的变化规律进行了分析。扫描电镜（SEM）图像显示：薄膜均为柱状生长,平均晶粒尺寸随溅射功率先增大后减小,薄膜的致密度随着功率的增加而降低,在60W时又变得较致密。X射线衍射（XRD）结果表明：Bi薄膜均为多晶斜六方结构,薄膜内应力随功率的增加由张应力变为压应力。
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