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对用低压ＭＯＶＰＥ法生长的非掺ＧａＮ外延膜，在其光致发光谱峰位３７０ｍｍ，５９０ｎｍ和７４０ｎｍ附近测量了光致光发激光（ＰＬＥ）谱，对于５９０ｎｍ和７４０ｎｍ附近的发光来说，各样品的ＰＬＥ峰都位于３６０ｎｍ，而对于３７０ｎｍ发光来说，大部分样品ＰＬＥ峰位于２８０ｎｍ处，而有的样品却位于２６０与３００ｎｍ两个波长处，对这些结果进行了讨论。