【摘 要】
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为满足硫化锌（ZnS）薄膜在光学薄膜领域进一步应用的要求,基于原子层沉积（Atomic Layer Deposition,ALD）技术在130℃温度下以二乙基锌（DEZ）和硫化氢（H_2S）为反应源,在砷化镓（GaAs）衬底表
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,中国科学院红外物理国家重点实验室,中国科学院大学
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为满足硫化锌（ZnS）薄膜在光学薄膜领域进一步应用的要求,基于原子层沉积（Atomic Layer Deposition,ALD）技术在130℃温度下以二乙基锌（DEZ）和硫化氢（H_2S）为反应源,在砷化镓（GaAs）衬底表面沉积了ZnS薄膜。用扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope,SEM）分析了样品的表面形貌和膜界面特性,用X射线衍射仪（X-ray Diffraction,XRD）分析了薄膜的结构特性,并通过X射线光电子能谱（X-ray Photoelectron
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