论文部分内容阅读
在较低温度(1360℃)下采用化学气相沉积法分别在单晶硅和单晶碳化硅基体上成功地生成多晶和单晶碳化硅膜。用氢气作为载体,反应气相为硅烷为甲烷。当温度低于1300℃时,生成膜的质量明显降低,易于脱离基体。1360℃温度下沉积生成的碳化硅膜与基体附着力强,不易被磨擦掉。XRD和IR分析表明生成的SiC膜为六方结构型的a-SiC。运用同位素12C和13C进行了在Si12C单晶基体上外延生长Si13C膜层