新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:nanti
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利用电子运动速度过冲现象,设计出了一种新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管.这种结构不仅提高了器件的截止频率,而且降低了影响器件直流性能的补偿电压.所制备器件的截止频率达到77GHz,直流电流增益高达100,补偿电压低至70mV.同时,把所制备器件的微波和直流特性与已发表的文献进行了比较,充分显示了这种结构的优越性.
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