用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷

来源 :武汉大学学报：理学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：freebird_china

【摘要】

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利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱技术研究了原生ZnO的缺陷结构及其退火效应．经900℃退火之后，正电子寿命实验显示样品中的空位型缺陷基本被消除，其体寿命为180ps．通过比较原生和

【作者】

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王柱柯君玉李辉庞锦标戴益群赵有文

【机构】

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武汉大学物理科学与技术学院,中国科学院半导体研究所

【出处】

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武汉大学学报：理学版

【发表日期】

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2008年3期

【关键词】

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正电子符合多普勒展宽氧化锌缺陷 positron coincident Doppler broadening ZnO defect

【基金项目】

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国家自然科学基金资助项目（10775107）

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利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱技术研究了原生ZnO的缺陷结构及其退火效应．经900℃退火之后，正电子寿命实验显示样品中的空位型缺陷基本被消除，其体寿命为180ps．通过比较原生和退火样品的符合多普勒展宽谱的商谱曲线，两者有相似的峰型，结合寿命谱的相关数据表明原生ZnO中不存在H原子填充Zn空位．

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