【摘 要】
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采用传统固相反应法制备了不同SiO2掺量的CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷材料,并研究了SiO2含量对CCTO陶瓷物相结构、微观形貌及介电性能的影响。结果表明：高温烧结时,SiO2不会与CCTO发
【基金项目】
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教育部长江学者与创新团队发展计划(IRT0730);南昌大学创新团队建设计划
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采用传统固相反应法制备了不同SiO2掺量的CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷材料,并研究了SiO2含量对CCTO陶瓷物相结构、微观形貌及介电性能的影响。结果表明：高温烧结时,SiO2不会与CCTO发生固相反应,而作为第二相物质存在于CCTO陶瓷的晶界,并对CCTO陶瓷的微观结构产生不同程度的影响。CCTO陶瓷的介电常数和介电损耗随SiO2含量的增多而相应减小。阻抗分析表明,CCTO陶瓷的晶粒电阻随SiO2的掺入略有改变,而晶界电阻则随SiO2的掺入而显著增大。分析认为,晶界电阻的增大是导致CCTO陶瓷
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