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在旧金山召开的国际电子器件会议(IEDM)上,贝尔实验室的研究者们报告了一种新颖的具有广阔前景的低K材料——氟化非晶碳(a-C:F)。该材料目前已产生了一层“坚固”的薄膜,具有很好的热稳定性,K<2.8,材料和电性能都符合器件集成的严格要求。在IEDM上,来自于NEC和应用材料公司的研究者还报告了“高稳态”的a-C:F薄膜在0.18μmCMOS工艺中的成功集成。贝尔实验室的研究者说,a-C:F薄膜之所以这样引人注目,是因为它具有独特的非晶C-C交联结构,以及具有与低K有机聚合物PTFE或聚四氟乙烯中相同的