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在５５０℃用原子层外延生长了ＧａＮＵ单晶薄膜。在低温下生长的薄膜室温光致发光特性由带边发射所控制，其强度在１０００℃通过金属有机物化学汽相淀积生长的薄膜强度相当。
550℃下器件质量级GaN的原子层外延生长
【摘 要】
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在５５０℃用原子层外延生长了ＧａＮＵ单晶薄膜。在低温下生长的薄膜室温光致发光特性由带边发射所控制，其强度在１０００℃通过金属有机物化学汽相淀积生长的薄膜强度相当。
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1996年5期
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