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介绍了ZnS薄膜缺陷的分类、特点及成因，在此基础上，采用电子显微镜与原子力显微镜对不同沉积方式沉积的薄膜进行了观察、分析与计算，检测了不同类型与大小的缺陷，对缺陷产生的原因进行了简要分析，分析了沉积方式这一参数对ZnS薄膜表面缺陷密度的影响，得出了镀制ZnS薄膜所需的合适沉积方式。实验结果表明：薄膜表面缺陷主要以节瘤缺陷与陷穴缺陷为主，电阻热蒸发比电子枪所镀制的ZnS薄膜缺陷密度要小，在蒸发舟上加上挡网后，缺陷密度有进一步减小的趋势，并且缺陷面积与数目也有所减小，缺陷面积小于20μm2。