论文部分内容阅读
为了实现半导体微盘磁光器的单模面发射，设计了一种以ＩｎＧａＮ多量子阱为有源层，ＣａＮ外延层为覆盖层的半导体微盘激光器。通过对ＧａＮ覆盖层进行图形刻蚀，可以对不同的角模式进行有选择的增益，由此实现选模。用有效增益因子加电介质盘的模型对实际微盘结构进行简化，并根据此模型计算微盘外的远场分布，并进上步计算有效增益因子。分析表明，这种结构能够实现ｍ＝１角模式的面发射。