【摘 要】
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中科院上海硅酸盐研究所李国荣团队通过晶粒及晶界缺陷设计的方法，成功消除了ZnO晶界处的肖特基势垒，制备出高导电的ZnO陶瓷，其室温下的电导率高达1．9×10^5Sm^-1；同时，缺陷设
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中科院上海硅酸盐研究所李国荣团队通过晶粒及晶界缺陷设计的方法，成功消除了ZnO晶界处的肖特基势垒，制备出高导电的ZnO陶瓷，其室温下的电导率高达1．9×10^5Sm^-1；同时，缺陷设计也降低了材料的晶格热导率，使该陶瓷呈现良好的高温热电性能，其在980K的功率因子达到了8．2X1014wm^-1K^-1，较无缺陷设计的ZnO陶瓷提高了55倍。
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