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本工作建立了能准确测量MOS电容禁带两端界面态密度分布和平均界面态密度的Gray-Brown法(简称G-B法),并同高低频C-V法进行了比较,结合Stretch Out(简称S-O)法研究了不同工艺MOS电容的辐照感生界面态特性。结果表明,禁带上端界面态密度分布较均匀,最大值与最小值相差不到两倍;禁带上端的平均界面态密度不大于禁带中央附近的三倍;辐照引起禁带中央附近界面态和禁带两端界面态的增长快慢与MOS器件制备工艺有关。