Gray-Brown法相关论文
本工作建立了能准确测量MOS电容禁带两端界面态密度分布和平均界面态密度的Gray-Brown法(简称G-B法),并同高低频C-V法进行了比较,......
期刊
降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界......
第三代半导体材料碳化硅(SiC)由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率以及高载流子饱和漂移速度等优异特性,而广泛应用于高温、......
