基于GaAs PHEMT工艺的60~90 GHz功率放大器MMIC

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研制了一款60~90 GHz 功率放大器单片微波集成电路(MMIC),该MMIC 采用平衡式放大结构,在较宽的频带内获得了平坦的增益、较高的输出功率及良好的输入输出驻波比(VSWR).采用GaAs 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)标准工艺进行了流片,在片测试结果表明,在栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz 时,功率放大器MMIC 的小信号增益大于13 dB,在71~76 GHz 和81~86 GHz 典型应用频段,功率放大器的小信号增益均大于15 dB.载体测试结果表明,栅极电压为-0.3 V、漏极电压为+3 V、频率为60~90 GHz 时,该功率放大器MMIC 饱和输出功率大于17.5 dBm,在71~76 GHz 和81~86 GHz 典型应用频段,其饱和输出功率可达到20 dBm.该功率放大器MMIC 尺寸为5.25 mm×2.10 mm.
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