绝缘体上硅(SOI)工艺具有寄生电容小、速度快和抗闩锁等优点,成为低功耗和高性能集成电路(IC)的首选.但SOI工艺IC更易受自加热效应......

静电放电(Electrostatic Discharge，简称ESD)保护设计一直是集成电路业界可靠性设计的重要难题，电源钳位ESD保护电路是全芯片ESD保护......

应用于高压工艺集成电路中电源钳位的静电放电保护（ESD）器件结构设计,属于半导体集成电路片上静电放电保护领域,本文所提出的器件结......

本文提出了一种新型的ESD电源钳位电路,该电路采用反馈结构延长了电路在ESD事件来临时的开启时间,并且增强了电路的鲁棒性,避免电......

在CMOS集成电路设计中,工艺尺寸不断减小、栅氧厚度不断变薄,对ESD提出更高的要求。尤其在射频集成电路中,ESD的寄生电容对射频性......

随着集成电路朝着更高集成度和更小体积方向发展,人们对芯片的可靠性及使用寿命的要求不断提高。静电放电(ESD)导致过电涌烧毁是内......

文章对多电平逆变器的基本结构及调制方法进行了详细的阐述，对二极管钳位型多电平逆变器、电容钳位型多电平逆变器、以及级联多电平......