【摘 要】
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相较于一般材料,SiC在硬度、临界击穿电场、热导率方面具有诸多优势,已经成为第三代半导体的重要材料。SiC板用于芯片制程设备时,不同厚度、不同温度下的热变形难以计算且试验测量困难,提出利用正交试验方法对SiC板的热变形开展仿真研究。回顾了热传导理论,推导出SiC板热变形的解析计算方法;设计了SiC板正交试验方案,总结了仿真热变形的流程;利用ANSYS-Workbench软件对正交试验方案进行了热力
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相较于一般材料,SiC在硬度、临界击穿电场、热导率方面具有诸多优势,已经成为第三代半导体的重要材料。SiC板用于芯片制程设备时,不同厚度、不同温度下的热变形难以计算且试验测量困难,提出利用正交试验方法对SiC板的热变形开展仿真研究。回顾了热传导理论,推导出SiC板热变形的解析计算方法;设计了SiC板正交试验方案,总结了仿真热变形的流程;利用ANSYS-Workbench软件对正交试验方案进行了热力学仿真分析,并与解析方程式结果进行对比分析,结果表明SiC板在不同厚度、不同温度下热变形满足线性关系。
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