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对液氮温度下六方相GaN和掺Mg的P型GaN薄膜的拉曼谱进行了对比研究。除对两个样品中主晶格振动模进行了对比分析外，着重讨论了位于247cm^-1的散射峰的产生机制。结果表明GaN：Mg的谱中该峰的散射强度随温度升高先增大再减小，在500K以上消失且对样品重新降温到78K观察此峰不再出现，因此认为它是缺陷产生的振动模。而GaN样品中经同样加热降温的过程此峰仍然存在，说明两个样品中该峰的产生机制不同。此外，在GaN：Mg的谱中还观察到Mg诱导的局域振动模。