论文部分内容阅读
在常规混合模式晶体管的基础上，提出了一种新的器件结构－Ｓｉ－Ｇｅ异质结基区Ｂｉ－ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）。由于基区采用禁带宽度较窄的Ｓｉ－Ｇｅ合金材料，引起空穴向发射区反注入的势垒提高，这样，一方面减小了空穴电汉ＩＢ，提高了注入效率；同时又增大了迁移率，从而提高特征频率。因此，这咱器件具有β高、基区电阻低、基区输运时间短等优点。