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本文研究了减压工艺对外延层质量的影响。在使用氢等离子体原位清洁过的硅衬底表面上,利用减压(200～250乇)工艺可以在980～1000℃的温度下生长出高质量外延层。衬底——外延层界面的掺杂浓度在8×10~(18)/cm~3到10~(14)/cm~3之间的过渡区从常压时的1.0μm减小到0.4μm;电阻率和厚度的不均匀性分别小于5％和4％;而且能明显地抑制硅烷的气相分解;极大地提高了外延层的结晶质量。