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新方法生长半绝缘InP基外延层

来源 :电子材料快报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：huangwj03

【作 者】

：

黄义贞 

【出 处】

：

电子材料快报

【发表日期】

：

1995年6期

【关键词】

：

半导体 半绝缘材料 INP 外延层 MOCVD法 

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