GaNP—i—n紫外探测器的研制

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：bright202

【摘要】

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研制了一种GaN p-i-n型单元器件,详细地讨论了该器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试.测试结果表明,器件的正向开启电压在2 V左右,零偏动态电阻R0约为1010～1011 Ω,

【作者】

：

陈江峰李雪

【机构】

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上海交通大学,中国科学院上海技术物理研究所

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

：

紫外探测器氮化镓刻蚀 ultraviolet detector GaN etching

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研制了一种GaN p-i-n型单元器件,详细地讨论了该器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试.测试结果表明,器件的正向开启电压在2 V左右,零偏动态电阻R0约为1010～1011 Ω,最大峰值响应率在365 nm处为0.18～0.21 A/W,器件的上升响应时间和下降时间分别为2.8和13.4 ns.

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