全SiC/半SiC智能功率模块功耗研究

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研究了全SiC智能功率模块、半SiC智能功率模块和Si智能功率模块的功耗。实验结果发现在20 Hz~90 Hz电机频率条件下,全SiC模块IPM-1功耗最低;全Si模块IPM-4模块功耗最高;只将开关器件替换为SiC-MOS功耗低于只将二级管替换为SiC-SBD;其功耗关系为IPM-1(SiC-MOS+SiC-SBD)<IPM-2(SiC-MOS+Si-FRD)<IPM-3(Si-IGBT+SiC-SBD)<IPM-4(Si-IGBT+Si-FRD);将SiC栅极电阻降低后SiC IPM
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