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有不同阳离子集中的 SrTiO3 电影被氧化物在 Si (001 ) 底层上扔分子的横梁取向附生。非结晶的层在其厚度在生长期间取决于氧压力和底层温度的接口被观察。尽管降低氧空缺，在 SrTiO3 的集中导致了由 heterostructure 的降低的漏电流密度显示了的更好绝缘的性能，因为统治了 SrTiO3/Si heterostructure 的电容的变厚的界面的层，绝缘的表演被败坏。而不是调整氧空缺集中，我们建议控制电影阳离子集中是同时调节 SrTiO3/Si 的绝缘、绝缘的性质的一个有效方法。