高能脉冲激光作用下材料表面温度场

来源 :北京科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cnforyou2009
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
以激光材料处理为背景,通过在高能脉冲激光照射下材料表面温度变化的实验研究,测量了在这种高能量、短脉冲、温度变化率极大的情况下材料表面的温升速率和温度变化规律,并且结合实验条件对2种不同的导热模型进行了数值模拟.实验结果显示当激光脉冲宽度较大时,实验结果和傅立叶导热模型的计算结果很吻合,随着激光脉冲宽度的减小,实验结果逐渐偏离傅立叶导热模型,而与双曲导热模型比较接近,同时出现了“二次升温”等非常规现象. In the background of laser material processing, the temperature rise and temperature change of material surface under high energy, short pulse and temperature change rate were measured through the experimental research on the temperature change of material surface under high-energy pulsed laser irradiation. Law, and combined with the experimental conditions of two different models of thermal conductivity were numerically simulated. The experimental results show that when the laser pulse width is large, the experimental results are in good agreement with the Fourier thermal model. As the laser pulse width decreases, the experimental results deviate from the Fourier thermal model and close to the hyperbolic thermal model, There has been “secondary warming” and other unconventional phenomena.
其他文献
目的 对比研究PPH 加外痔切除术和传统外剥内扎术的手术效果,探讨PPH 加外痔切除术治疗的优势及其注意事项,以便推广.方法 103例择期手术患者分为两组,PPH 加外痔切除术组(治
目的 探讨肺结核患者T淋巴细胞亚群与核仁组成区嗜银蛋白 (AgNORs)的关系 ,并动态观察临床应用的价值。方法 采用碱性磷酸酶抗碱性磷酸酶 (APAAP)法及AgNORs测定方法 ,对 9
描述了Q3接口的内容、基于Q3接口的特点和实际网管系统的实现。提出了多种厂商设备环境下网管互联的概念、方法和流程并给出了实现的情况。 Describes the content of Q3 in
针对立井井筒装备腐蚀严重的现状 ,研究了一种新型的玻璃钢复合材料罐道 .通过复合材料罐道耐腐蚀试验研究 ,指出对立井罐道采用玻璃钢包敷 ,其耐腐蚀性能满足煤矿井筒环境使
利用 3μm工艺条件制得 Si Ge HBT( Heterojunction Bipolar Transistor) ,器件的特征频率达到 8GHz.60 0 MHz工作频率下的最小噪声系数为 1 .0 4 d B,相关功率增益为 1 2 .6
研究指纹的方向图对实现指纹纹线修补、纹形特征的提取以及指纹的分类等应用都有很强的实用价值。笔者通过对指纹图象方向基元集的定义和描述 ,运用方向基元样本的统计特性 ,给出了一种求取指纹方向图的方法。并将该方法运用到一套智能卡指纹验证系统中进行纹型比对 ,实践证明 :该方法算法简单 ,快速有效 ,对各种躁声具有一定的鲁棒性。
随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展,下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要求.与含有高密度晶体原生缺陷的硅抛光片相比
针对前馈神经网络学习误差函数维数高、计算复杂度大的特点 ,对梯度下降BP算法加以改进从而构造出一种简单共轭梯度下降算法 (MPARTAN算法 ) .该算法计算复杂度不高于动量BP
目的 研究麻疹疫苗初免后不同间隔时间再免疫的血清抗体持久性。方法 采用血凝抑制试验方法检测329名观察对象血清中的麻疹抗体滴度。结果 麻疹疫苗初免后,不同间隔时间再免
在冲击电压下 ,通过在真空中对采用和未采用化学腐蚀表面处理的硅半导体的实验表明 ,试品的表面状况对其泄漏电流和沿面闪络特性有着很大的影响 ,在沿面闪络之前 ,未经处理试