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离子柬辅助镀膜沉积过程中，绝缘薄膜表面的电荷积累效应严重影响了薄膜质量。通过对宽束冷阴极离子源引出栅部分的改进，采用分时引出电子和离子方法，使正负电荷中和，以消除薄膜表面的放电现象，并对引出电子束的束流密度、能量、发射角等参数进行了测试。实验结果表明：在引出电压为600V时，电子的平均能量为100eV左右；引出电子束的发射角可以达到±40°，在±15°范围内的束流密度波动小于±5％。引出电子的束流密度较同参数下的离子柬流密度小，通过调节脉冲电源的占空比，可