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期刊论文
微氮硅单晶中氧沉淀
微氮硅单晶中氧沉淀
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zanyunfeng
【摘 要】
:
实验研究了微氮硅单晶在700℃,1050℃单步退火及二步退火的氧沉淀,指出碳、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用,而对中温退火的氧沉淀基本没有影响,主要取决于原始氧浓度,实验还
【作 者】
:
杨德仁
姚鸿年
【机 构】
:
浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1994年6期
【关键词】
:
硅单晶
氮
氧
沉淀
缺陷
【基金项目】
:
国家自然科学基金
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实验研究了微氮硅单晶在700℃,1050℃单步退火及二步退火的氧沉淀,指出碳、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用,而对中温退火的氧沉淀基本没有影响,主要取决于原始氧浓度,实验还研究了低温预退火促进氧沉淀及氧沉淀延迟现象,探讨了碳氮杂质在氧沉淀中的作用。
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