基于自组装单分子层技术的单晶硅表面化学镀镍工艺优化

来源 :第十一届全国化学镀会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:joinroot
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  传统的化学镀镍前处理会对单晶硅造成严重影响,进而影响两者的结合.以单因素条件设计并结合4因素3水平正交试验,对单晶硅表面进行改性活化处理,优选出化学镀镍的处理条件为:羟基化处理15 h,偶联处理48 h,再在化学镀液中于90℃下施镀1h,在此条件下对单晶硅化学镀镍可以获得的沉积速度高达6.137 mg/(cm2·h),且镀层与硅片结合牢固,颗粒品质优良.
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