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在850 ℃的低温下,在Si(100)衬底上生长了3C-SiC薄膜,气源为SiH4和C2H4混合气体.用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱分析了薄膜的晶体结构、组分以及键能随深度的变化.研究表明薄膜为富硅的3C-SiC结晶层,其中的Si/C比约为1.2.
低温生长硅基碳化硅薄膜研究
【摘 要】
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在850 ℃的低温下,在Si(100)衬底上生长了3C-SiC薄膜,气源为SiH4和C2H4混合气体.用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱分析了薄膜的晶体结构、组分以及键能随深度
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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2002年1期
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