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GaN材料在高频、高功率、高温、高密度集成电子器件等领域具有广阔的应用前景，是全球半导体领域研究的前沿和热点．近几年，对低接触电阻率的金属／GaN欧姆接触的研究取得了巨大进步，但金属／GaN欧姆接触仍是制约GaN器件发展的重要因素之一，激光技术的引进为金属／GaN欧姆接触的实现提供了新方法。总结了激光辐照改善GaN材料欧姆特性的研究，介绍了准分子激光辐照对GaN材料空穴浓度的改变及其欧姆接触特性改善机理的研究进展，讨论了激光辐照Ga,N获得低欧姆接触电阻率的方案，以便探究获得更优良金属／GaN欧姆接触的研