通过量子阱异质结中最佳带隙偏移改善量子阱激光器的性能

来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhhc1987
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我们分析了量子阱异质结的带隙偏移对量于阱(QW)激光器性能的影响。表明,除了应变之外,带隙偏移的优化也能改进QW激光器的性能,尤其是能够同时达到超低阈值电流和高速。改进步骤是从减少QW激光器填充态开始,因为在光限制区导带结构和价带结构的不对称性可以通过QW异质结的最佳带隙偏移来补偿。其结果为设计高性能的QW激光器以及其它有源激光器件提供了设计规范。
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