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利用自行设计的垂直两温区晶体生长炉,采用静态升华法生长α-Hgl2晶体.经过23 d的生长,获得了尺寸约为15 mm×12 mm×5mm的a-Hgl2晶体.通过XRD和4155CVIV电学测试仪表征晶体的相关特性,并对利用该晶体制备的探测器进行核辐射探测性能测试.结果表明,生长的α-Hgl2晶体富碘.对晶体适宜的加热可以有效减少富碘现象.晶体的电阻率约为1012Ω.cm.制备的α-HgI2核辐射探测器对未使用准直器的241Am辐射源(59.5keV)在室温下的分辨率为14.6%(8.69keV).