HL—1M装置真空室硅化的研究

来源 :核聚变与等离子体物理 | 被引量 : 0次 | 上传用户:demon3214
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GDC(He+SiH4)是为HL-1M装置研制的一种常规壁处理技术.在He辉光等离子体条件下,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子-分子反应和在壁面上的He+诱导脱H2过程,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅(α-Si:H)薄膜.氢化硅具有良好的H(D)捕获、H2(D2)释放,能显著地降低再循环系数,有效地控制杂质水平,大大拓宽了HL-1M装置的运行范围,为HL-1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件.
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