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通过对双扩散工艺制作的3DG131失效芯片的显微剖析,革新了常规工艺,采用高温通氮气氧化的退火方法和掺氮氧化的新工艺,可降低热氧化过程中出现的热氧化堆垛层错并消除其影响。结果表明,管芯各项电参数均有明显优化,它对提高芯片的优品率和可靠性取得了比较明显的效果。
提高3DG131晶体管的优品率与可靠性
【摘 要】
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通过对双扩散工艺制作的3DG131失效芯片的显微剖析,革新了常规工艺,采用高温通氮气氧化的退火方法和掺氮氧化的新工艺,可降低热氧化过程中出现的热氧化堆垛层错并消除其影响
【机 构】
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景德镇三六无线电厂,江西大学
【出 处】
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电子工艺技术
【发表日期】
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1992年1期
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