【摘 要】
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采用Ga—PCI_3—H_2系统开管式汽相外延的方法,在GaAs衬底上生长掺Zn的GaP单晶。经化学腐蚀去掉GaAs衬底得到自支撑GaP单晶薄膜。 研究了在P型GaAs衬底上外延P—型GaP的生长
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采用Ga—PCI_3—H_2系统开管式汽相外延的方法,在GaAs衬底上生长掺Zn的GaP单晶。经化学腐蚀去掉GaAs衬底得到自支撑GaP单晶薄膜。 研究了在P型GaAs衬底上外延P—型GaP的生长条件,生长速度与温度的关系,生长速度与输运气体中的PCI_3浓度的关系,以及晶向偏差,清洁条件等对外延层质薄的(井彡)响。
The GaP single crystal doped with Zn was grown on GaAs substrate by open tube vapor phase epitaxy in Ga-PCI_3-H_2 system. The GaAs substrate is removed by chemical etching to obtain a self-supporting GaP single crystal film. The growth conditions of P-type GaP epitaxial growth on P-type GaAs substrate, the relationship between growth rate and temperature, the relationship between growth rate and the concentration of PCI_3 in the carrier gas, and the influence of crystal orientation deviation and cleaning conditions on the epitaxial layer Thin (Jing 彡) ring.
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