【摘 要】
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制作了SiO2/TiO2多层膜结构一维光子晶体,研究了其光子禁带特性.通过测量红外透射谱,分析了入射线偏振方向、入射角度以及引入缺陷层对光子禁带的影响.随着入射角度的增大,在
【机 构】
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沈阳理工大学理学院,辽宁沈阳110l68;光电系统信息控制国家重点实验室,河北三河,065201
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制作了SiO2/TiO2多层膜结构一维光子晶体,研究了其光子禁带特性.通过测量红外透射谱,分析了入射线偏振方向、入射角度以及引入缺陷层对光子禁带的影响.随着入射角度的增大,在TE模式和TM模式线偏振光下,光子禁带边沿产生蓝移现象.引入TEB30A型向列相液晶缺陷后,光子禁带中在波长约为l810nm(TE模式)和182lam(TM模式)处出现了透射峰.利用传输矩阵理论,模拟计算了光子晶体透射谱,并对实验结果进行了深入分析.无缺陷时,随着入射角增大,薄膜的光学厚度减小,光子禁带边沿蓝移.引入液晶缺陷后,光子禁带中产生特定的缺陷态,和缺陷态频率相吻合的光子被局域在缺陷位置,禁带中出现透射峰.由于两种模式线偏振光下的液晶层光学厚度不同,透射峰位置也不同.
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