酸处理多孔硅高效发光性能

来源 :南昌大学学报(理科版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：hxyxy303

【摘要】

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在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅(Porous Silicon)样片,同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理.通过荧光分光光度计测试并比较了HNO3作用前后样片

【作者】

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王水凤姜乐元美玲唐小迅

【机构】

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南昌大学,南昌大学

【出处】

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南昌大学学报(理科版)

【发表日期】

：

2004年1期

【关键词】

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多孔硅光致发光 HN03 酸处理电化学腐蚀发光稳定性 porous silicon photoluminescence HNO_3

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在实验室条件下对P型单晶硅片进行阳极电化学腐蚀制成多孔硅(Porous Silicon)样片,同时用适当配比的HNO3对多孔硅进行处理.通过荧光分光光度计测试并比较了HNO3作用前后样片的光致发光(PL)谱,结果发现用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高.另外,本文还对多孔硅以及HNO3处理的多孔硅的发光稳定性作了对比研究和探讨.

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