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A high performance InAlN/GaN HEMT with low Ron and gate leakage
A high performance InAlN/GaN HEMT with low Ron and gate leakage
来源 :城市道桥与防洪 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yyp0000
【摘 要】
:
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥
【作 者】
:
Ma Chunlei
Gu Guodong
Lü Yuanjie
【机 构】
:
Hebei Semiconductor Research Institute, Shijiazhuang 050051, China“,”National Key Laboratory of ASIC
【出 处】
:
城市道桥与防洪
【发表日期】
:
2016年2期
【关键词】
:
InAlN
high-electron-mobility transistor (HEMT)
drain current density
on resistan
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该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥主桥连续预应力混凝土变截面箱梁2#~7#块、8#、8
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