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U型坩埚上升法是生长碘化铅单晶体的一种新方法,它不能自动排除熔体中可能产生的气泡。本文结合已有的实验数据,分析了熔体温度、熔体富碘量对气泡形核临界半径的影响。结果表明：随着熔体温度升高或熔体富碘量增加,气泡长大的临界半径减小。熔体温度低于773K时,气泡长大的临界半径在0.11μm以上,且晶锭中没有气泡。这为优化晶体生长工艺奠定了理论基础。