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本文阐述了CMOS图像传感器芯片数字模块的后端物理设计与实现。结合芯片电路自身的特点,提出了相应的设计方法,重点介绍了布局规划,电源规划,时钟树综合,静态时序分析和物理验证。考虑到深亚微米下芯片的复杂性,芯片经过可制造性设计和相关验证后才交付代工厂。芯片最终采用0.11μm CIS工艺成功流片,测试结果表明各项参数符合设计要求。