【摘 要】
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本文对具有半绝缘性a-Si:H薄层的MISS器件进行了实验研究.实验发现它具有更高的光敏性.在a-Si型的MISS中也呈现出双态特性,并将其解释为n区的电荷存贮效应.
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本文对具有半绝缘性a-Si:H薄层的MISS器件进行了实验研究.实验发现它具有更高的光敏性.在a-Si型的MISS中也呈现出双态特性,并将其解释为n区的电荷存贮效应.
In this paper, a MISS device with a semi-insulating a-Si: H thin layer has been experimentally studied, and it has been found that it has a higher photosensitivity. The MISS device also exhibits a bimodal characteristic in the a-Si type MISS, The n-region charge storage effect.
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