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重点研究了利用偏轴射频溅射的方法在Ｓｉ衬底上生长ＹＳＺ缓冲层及Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导薄膜的工艺，获得了８２Ｋ的超导转变温度。
硅上溅射BSCCO薄膜的微结构分析
【摘 要】
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重点研究了利用偏轴射频溅射的方法在Ｓｉ衬底上生长ＹＳＺ缓冲层及Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导薄膜的工艺，获得了８２Ｋ的超导转变温度。
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1996年3期
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