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通常在安全处理系统中，微处理都将密钥储存在静态随机存储器（SRAM）中，如果SRAM的数据在断电后确实完全丢失，那么采取这样的对策是非常安全的，但是SRAM在断电后存在数据残留的问题，是系统的一个重大安全隐患。针对信息系统的安全性，用实验方法进行了SRAM数据残留特性的研究，确定了多种SRAM数据残留的临界温度点，建立了数据残留时间与温度的相关关系，进行了数据残留特性与电参数的相关分析，提取出数据残留特性的特征电参数待机电流Iddsb，有助于进一步研究SRAM数据残留机理。