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对硼硅玻璃与硅进行了阳极键合实验，通过扫描电镜对键合界面的微观结构进行分析表明：玻璃／硅的键合界面有明显的中间过渡层生成；分析认为电场力作用下玻璃耗尽层中的氧负离子向界面迁移扩散并与硅发生氧化反应是形成中间过渡层的主要原因，而界面过渡层的形成是硅／玻璃界面键合实现永久连接的直接原因。
硼硅玻璃与硅阳极键合界面形成机理分析
【摘 要】
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对硼硅玻璃与硅进行了阳极键合实验，通过扫描电镜对键合界面的微观结构进行分析表明：玻璃／硅的键合界面有明显的中间过渡层生成；分析认为电场力作用下玻璃耗尽层中的氧负离子向界
【机 构】
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太原理工大学材料科学与工程学院
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2006年9期
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