【摘 要】
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用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构.测量了生长样品的光致发光 (PL)谱,得到两个发光峰(记为I1,I2 ),
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春理工大学
【基金项目】
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中国科学院百人计划;中国科学院知识创新工程项目;国家攀登计划;国家自然科学基金
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用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构.测量了生长样品的光致发光 (PL)谱,得到两个发光峰(记为I1,I2 ),分析认为高能侧的峰为Zn0.9Cd0.1Te浅阱峰,而低能侧的峰为ZnSe0.2Te0.8深阱层的发射.对样品进行了变激发强度的PL谱测量, 当激发强度增加时,PL谱中两个发光峰的比值(I2/I1)开始时迅速增加,然后缓慢减小.这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离,从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的.
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