【摘 要】
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使用射频磁控溅射法在石英衬底上制备ZnO掺Ga薄膜(GZO),通过调制不同的溅射功率制备GZO薄膜,研究了溅射功率对GZO薄膜光电学性能的影响。对不同溅射功率下的GZO薄膜进行X射线
【基金项目】
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国家自然科学基金(6146005),江西省科技厅重点研发计划项目(20171BBE50053),江西省主要学科科学带头人项目(20123BCB22002)
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使用射频磁控溅射法在石英衬底上制备ZnO掺Ga薄膜(GZO),通过调制不同的溅射功率制备GZO薄膜,研究了溅射功率对GZO薄膜光电学性能的影响。对不同溅射功率下的GZO薄膜进行X射线衍射、扫描电镜(SEM)、内应力、紫外可见光光谱、光致发光谱分析和电学性能分析。结果表明:随着溅射功率的提高,GZO薄膜保持良好的C轴择优取向;薄膜结晶度增加,晶界减少,晶粒尺寸增大;透光性减小;薄膜缺陷降低;薄膜表面方块电阻下降。
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