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针对粗糙介质表面造成射频微机械(RF MEMS)开关隔离度衰减的问题,设计了一个双桥电容式RF MEMS开关,分别采用金属Au和Al作为开关的下电极,以SiN作为电容介质制备了样品.微波特性测量表明两种材料开关的隔离度有很大区别.利用原子力显微镜对金属Au和Al上制作的SiN介质层表面进行了测试,表面粗糙度Ra值分别为13.050 nm和66.680 nm, 分析得到相应的关态电容减少因子分别为0.52和0.15. 为获得较好的开关隔离度,介质表面粗糙度须控制在5 nm以下.