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从理论和实验上研究了硅双极晶体管直流特性的低温效应,建立了不同发射结结深的硅双极晶体管电流增益的温度模型,讨论了不同工作电流下H_(FE)的温度特性,并分析了大电流下基区展宽效应的温度关系。
硅双极晶体管直流特性低温效应的研究
【摘 要】
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从理论和实验上研究了硅双极晶体管直流特性的低温效应,建立了不同发射结结深的硅双极晶体管电流增益的温度模型,讨论了不同工作电流下H_(FE)的温度特性,并分析了大电流下基
【机 构】
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东南大学微电子中心,东南大学微电子中心南京210018,南京210018,南京210018
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1992年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目
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